سامسونگ گامی نوین در فناوری: آغاز تولید انبوه حافظه ۱ ترابیتی QLC V-NAND

سامسونگ گامی نوین در فناوری: آغاز تولید انبوه حافظه ۱ ترابیتی QLC V-NAND

  • جمعه، ۲۳ شهریور ۱۴۰۳
  • ۱۷:۵۳

سامسونگ، یکی از بزرگترین شرکت‌های فعال در حوزه فناوری، اعلام کرده که برای اولین بار تولید انبوه حافظه ۱ ترابیتی QLC V-NAND را آغاز می‌کند. این اقدام یک گام مهم در توسعه فناوری حافظه‌های NAND به شمار می‌آید و می‌تواند انقلابی در صنعت ذخیره‌سازی داده‌ها ایجاد کند.

 

حافظه‌های QLC (Quad-Level Cell) توانایی ذخیره چهار بیت در هر سلول را دارند که در مقایسه با حافظه‌های TLC (Triple-Level Cell) بهبود قابل توجهی در تراکم ذخیره‌سازی داده ارائه می‌دهند. سامسونگ با استفاده از فناوری V-NAND، به جای استفاده از سلول‌های دو بعدی، سلول‌ها را به صورت عمودی چیده است. این چیدمان عمودی امکان افزایش ظرفیت و کاهش فضای فیزیکی مورد نیاز را فراهم می‌آورد.

 

با شروع تولید این حافظه‌های ۱ ترابیتی، سامسونگ پیش‌بینی می‌کند که این فناوری می‌تواند نیازهای روزافزون به ذخیره‌سازی داده‌های حجیم را به طور مؤثری پاسخ دهد. از مزایای دیگر این فناوری می‌توان به کاهش مصرف انرژی، بهبود سرعت انتقال داده و افزایش طول عمر حافظه اشاره کرد.

 

این نوآوری به خصوص برای دستگاه‌های موبایل، سرورها و مراکز داده که نیاز به ذخیره‌سازی بیشتر و کارایی بالاتر دارند، بسیار مفید خواهد بود. سامسونگ امیدوار است با توسعه و تولید گسترده این حافظه‌ها، بتواند به یکی از پیشگامان بازار جهانی حافظه‌های NAND تبدیل شود.

بازگشت
E-Namad logo-samandehi